宁波领开半导体技术有限公司近日完成A+轮融资，投资方为三花弘道投资、德同资本、辰韬资本，融资金额未披露。德同资本连续第二轮追加投资，资金将主要用于新一代HBF+芯片的研发、量产与市场拓展。
领开半导体成立于2020年，总部位于宁波镇海，是一家依托自研ATopFlash技术及HBF+架构的存储芯片研发商。其ATopFlash技术融合3D NAND高密度与DRAM并行读取特性，新一代HBF+芯片具备高带宽、大容量、低功耗特征，读操作核心参数对齐并兼容HBM4，且不占用传统DRAM产能。
公司正围绕AI推理大模型权重存储需求推进产品验证与客户适配，致力于在满足推理性能前提下降低部署与运行成本，推动自主存储架构向产品化、规模化应用迈进。
高带宽闪存赛道正加速迈向产业化。铠侠筹划赴美上市ADS，其HBF原型产品容量达HBM3E的40倍；闪迪推出HBF方案，单堆容量最高可达4TB。政策层面，工信部、国家发改委提出研发高带宽闪存、高带宽内存等新型存储产品，上海亦提出推进存储芯片达到国际先进水平。高盛研报认为，HBF技术为AI存储带来额外增长空间。